报告称中韩NAND技术差距缩短至2年

IT之家 11 月 23 日消息，根据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器产业的支持力度，过去几年已经有了长足的进步，在 NAND 闪存方面，和三星、SK 海力士等全球领先企业的技术差距缩短到 2 年。

该业内人士指出：“虽然 DRAM 依然保持 5 年以上的技术差距，不过由于 NAND 技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的 NAND 产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”。

报道中特别提及了长江存储，该公司在 2022 年闪存峰会上，正式发布了基于晶栈 3.0架构的第四代 3D TLC NAND 闪存芯片，名为 X3-9070。

长江存储宣布从 176 层到 232 层量产之后，遭到了外界的诸多质疑，不过该公司用了不到 1 年的时间，成功量产 X3-9070。

除了用于致态 TiPlus7100 系列 SSD，还被用在海康威视的 CC700 2TB SSD 上，这是首个进入零售市场的 200 + 层 3D NAND 闪存解决方案，领先于三星、美光、SK 海力士等厂商。

报道中还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正抓住先进封装这个机会，进一步缩小技术差距。

在半导体业内，先进封装主要封装多个芯片，从而提高性能，被认为是克服挑战的关键。

中国大陆在半导体封装领域占有第二大市场份额，IT之家援引市场研究公司 IDC 的数据，去年长电科技、通富微电和华天科技三家公司进入全球前 10 大半导体封装公司，而韩国没有一间公司出现在榜单上。